摩根士丹利(大摩)證券示警，由于需求疲軟，將導致下半年存儲器價(jià)格更快速下滑，影響范圍包括三大內存。

　　三大內存為動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、編碼型閃存(NOR Flash)、儲存型閃存(NAND Flash)。

　　報告指出，由于需求疲軟，加上廠(chǎng)商與客戶(hù)端的高庫存水位，內存供應鏈將面臨巨大的去庫存壓力，造成下半年價(jià)格將進(jìn)一步下跌，且嚴重程度將大過(guò)市場(chǎng)預期。

　　對于中國臺廠(chǎng)，大摩認為，除了旺宏、華邦電、南亞科、力積電等劣于大盤(pán)外，連原先相對看好的群聯(lián)，評價(jià)轉至中立。雖然群聯(lián)在中國大陸的成長(cháng)動(dòng)能強勁，但由于高庫存及 NAND 價(jià)格環(huán)境惡化，NAND 景氣循環(huán)短期內不太可能快速復蘇。

　　報告指出，業(yè)界認為，SK 與三星已停止生產(chǎn) 1Gb 及 2Gb 內存，并且降低 DDR3 的生產(chǎn)。不過(guò)，由于 CMOS 圖像傳感器的市場(chǎng)展望趨于疲弱，三星正在將 CIS 的產(chǎn)能用來(lái)生產(chǎn) DDR3，使特殊型 DRAM 供給情況更加不妙。長(cháng)期來(lái)說(shuō)，SK 及三星不會(huì )放棄消費 DRAM 市場(chǎng)，而是移轉到 DDR4 以著(zhù)眼于 4Gb 產(chǎn)品。
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