據 BusinessKorea 報道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區舉行了 2022 年三星代工論壇。

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　　該公司代工業(yè)務(wù)部技術(shù)開(kāi)發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術(shù)的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。

　　三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠(chǎng)的生產(chǎn)能力，其目標是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此，這家芯片制造商正在推行“外殼優(yōu)先”戰略，即首先建造一個(gè)無(wú)塵室，然后在市場(chǎng)需求出現時(shí)靈活地運營(yíng)該設施。

　　三星電子代工業(yè)務(wù)部總裁 Choi Si-young 稱(chēng)：“我們正在韓國和美國經(jīng)營(yíng)五家工廠(chǎng)，我們已經(jīng)獲得了建造 10 多座工廠(chǎng)的場(chǎng)地。”

　　IT之家了解到，三星電子計劃在 2023 年推出第二代 3 納米工藝，在 2025 年開(kāi)始量產(chǎn) 2 納米，在 2027 年推出 1.4 納米工藝，三星于 10 月 3 日(當地時(shí)間)在舊金山首次披露這一技術(shù)路線(xiàn)圖。
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