大摩預計，3nm的Rubin GPU將在2025年下半年進(jìn)入流片階段，較之前預定時(shí)間提前半年。根據供應鏈調查，Rubin的芯片尺寸將是Blackwell的兩倍，包含四個(gè)計算芯片，是Blackwell的兩倍。

　　摩根士丹利(130.44, -0.59, -0.45%)表示，英偉達下一代Rubin GPU已提前半年開(kāi)始準備，預計推出時(shí)間將從2026年上半年提前至2025年下半年。由于用上3nm技術(shù)、CPO(共同封裝光學(xué)元件)和HBM4(第六代高頻寬內存)，新一代GPU的芯片面積將是上一代Blackwell的兩倍，預計相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司將受益。

　　大摩分析師Charlie Chan在12月2日的報告中表示，雖然Blackwell芯片的產(chǎn)出仍在增長(cháng)，考慮到新芯片的復雜性，臺積電(198.89, 4.49, 2.31%)和供應鏈已在為英偉達下一代Rubin芯片的推出做準備。3nm的Rubin GPU預計將在2025年下半年進(jìn)入流片階段，較之前預定時(shí)間提前半年左右。

　　大摩表示，由于3nm工藝的遷移、CPO和HBM4的采用，Rubin將是一款強大的芯片。根據供應鏈調查，Rubin的芯片尺寸將是Blackwell的近兩倍，Rubin芯片可能包含四個(gè)計算芯片，是Blackwell的兩倍。

　　分析師目前預計，由于芯片面積變大，臺積電將在2026年進(jìn)一步擴展其CoWoS(Chip on Wafer Substrate)產(chǎn)能。公司預計將在2025年中期開(kāi)始向設備供應商下達2026年訂單，具體取決于A(yíng)I資本支出的可持續性。

　　供應鏈方面，分析師認為ASMPT在Rubin的TCB工具認證上略有滯后。TCB(熱壓焊接)是Rubin GPU的CoW(Chip on Wafer)所需的工藝。K&S此前宣布，已于11月收到臺積電的無(wú)焊料TCB訂單用于CoW，而ASMPT表示仍在與臺積電進(jìn)行CoW認證的溝通。

　　大摩認為，ASMPT仍有機會(huì )在今年年底前完成認證，并且對于公司設備低量采購可能會(huì )在2025年下半年實(shí)現。行業(yè)調查顯示，臺積電首批關(guān)于CoW無(wú)焊料TCB的訂單通過(guò)K&S訂購的工具較少，預計2025年將不到10臺。隨著(zhù)Rubin GPU預計將在2026年進(jìn)入量產(chǎn)，訂單量可能會(huì )在2026年增大。

　　新GPU帶來(lái)的另一結構性機會(huì )在于測試時(shí)間的延長(cháng)。大摩分析師表示，目前Blackwell(測試時(shí)間比Hopper長(cháng)三倍)和MI355(長(cháng)兩倍)都需要更長(cháng)的測試時(shí)間。由于需求強勁，新的Advantest測試儀的交貨期從3個(gè)月延長(cháng)至6個(gè)月。

　　從長(cháng)遠來(lái)看，一些AI專(zhuān)用集成電路(ASIC)，如AWS的3nm AI加速器，可能開(kāi)始進(jìn)行燒機測試，根據供應鏈調查，Blackwell的全部最終測試將繼續在KYEC進(jìn)行，預計到2025年，B200/300(雙芯片版本)的出貨量可能會(huì )達到約500萬(wàn)臺，基于臺積電的CoWoS-L產(chǎn)能。

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