GlobalFoundries(GF，格芯)近日宣布，已經(jīng)收購瑞薩電子公司(Renesas)的專(zhuān)利和經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的導電橋接隨機存取存儲器 (conductive- bridging RAM，CBRAM) 技術(shù)，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實(shí)現家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動(dòng)設備的一系列應用。

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　　這項交易進(jìn)一步加強 GF 的存儲器產(chǎn)品組合，并通過(guò)增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術(shù)節點(diǎn)的嵌入式存儲器解決方案，擴展其嵌入式非易失性存儲器(NVM)解決方案的路線(xiàn)圖。具體而言，這項技術(shù)將使客戶(hù)能夠進(jìn)一步區分其 SoC 設計，并推動(dòng)新一代安全和智能設備的發(fā)展。

　　格芯表示，“致力于使我們技術(shù)組合差異化，成為客戶(hù)今天和未來(lái)幾十年的節能物聯(lián)網(wǎng)應用的基礎。通過(guò)收購這項創(chuàng )新的存儲技術(shù)，GF 現在在加速開(kāi)發(fā) NVM 解決方案方面發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，這將使我們的客戶(hù)能夠設計出下一代的智能和互聯(lián)設備。CBRAM 技術(shù)釋放了性能和超低能耗的新范式，使從可穿戴設備到智能手機的各種應用，在特定的使用情況下，將電池充電的間隔時(shí)間從幾小時(shí)延長(cháng)到幾周甚至幾年。”

　　CBRAM 的低功耗、高讀 / 寫(xiě)速度、降低制造成本和對惡劣環(huán)境的耐受性，使其特別適用于消費、醫療和特定工業(yè)應用。2020 年，格芯 GF 與 Dialog 半導體公司(該公司于 2021 年被瑞薩公司收購)達成了一項許可協(xié)議，將其 CBRAM 技術(shù)作為一種嵌入式、NVM 選項提供?，F在，CBRAM 正在該公司的 22FDX 平臺上得到認證，并計劃將其擴展到其他平臺。
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