8月6日消息，在近日的英特爾財報電話(huà)會(huì )議上，英特爾CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)透露，全球第二臺High NA (高數值孔徑)EUV光刻機即將進(jìn)入英特爾位于美國奧勒岡州的晶圓廠(chǎng)。

　　ASML此前在二季度財報會(huì )議上也表示，該公司已經(jīng)開(kāi)始向客戶(hù)出貨其第二臺High NA EUV光刻機，但是并未指出是哪家客戶(hù)?，F在來(lái)看，這家客戶(hù)正是英特爾。

　　資料顯示，ASML的第一代High NA EUV(EXE:5000)的分辨率為 8nm，可以實(shí)現比現有EUV光刻機小1.7倍物理特征的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能夠簡(jiǎn)化其制造流程。并且，EXE:5000每小時(shí)可光刻超過(guò) 185 個(gè)晶圓，與已在大批量制造中使用的 NXE 系統相比還有所增加。ASML還制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻機將產(chǎn)能提高到每小時(shí) 220 片晶圓的路線(xiàn)圖，確保將High NA EUV光刻機集成到芯片工廠(chǎng)對于芯片制造商來(lái)說(shuō)在經(jīng)濟性上至關(guān)重要。根據此前的爆料顯示，High NA EUV的售價(jià)高達3.5億歐元一臺。

　　眾所周知，英特爾與ASML合作了數十年時(shí)間，推動(dòng)了光刻技術(shù)從 193nm浸沒(méi)式光刻技術(shù)發(fā)展到 EUV，但出于成本考慮，英特爾選擇不在其 10nm 工藝(相當于臺積電6nm)中使用該技術(shù)。相反，英特爾選擇使用標準深紫外 (DUV) 光刻機進(jìn)行四重圖案化，需要對單個(gè)芯片層進(jìn)行四次 DUV 曝光，而不是使用 EUV 進(jìn)行單次曝光。結果，英特爾在良率方面遇到了重重困難，導致其10nm工藝推遲了五年。這也使得英特爾被臺積電、三星等率先使用EUV光刻機的廠(chǎng)商持續超越。

　　因此，在英特爾CEO基辛格提出“IDM 2.0”戰略后，英特爾便迅速重新聚焦于尖端制程工藝的提升，提出的了四年五個(gè)工藝節點(diǎn)的計劃，希望在2025年憑借Intel 18A實(shí)現對于臺積電2nm工藝的超越。與此同時(shí)，英特爾還希望通過(guò)率先采用High NA EUV光刻機來(lái)實(shí)現對于臺積電等競爭對手的持續領(lǐng)先。最終在2030年前實(shí)現英特爾代工業(yè)務(wù)實(shí)現收支平衡的運營(yíng)利潤率，并成為全球第二大晶圓代工廠(chǎng)。

　　為此，英特爾在2023年12月已率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機，并開(kāi)始在英特爾俄勒岡州晶圓廠(chǎng)安裝。一套High NA EUV光刻系統的大小等同于一臺雙層巴士，重量更高達150噸，相當于兩架空中客車(chē)A320客機，全套系統需要43 個(gè)貨運集裝箱內的 250個(gè)貨箱來(lái)裝運，裝機時(shí)間預計需要250名工程人員、歷時(shí)6個(gè)月才能安裝完成，不僅價(jià)格高昂也相當耗時(shí)。

　　今年4月18日，英特爾公司正式宣布在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地達成了先進(jìn)半導體制造領(lǐng)域的一個(gè)重要里程碑，完成了業(yè)界首個(gè)商用High NA EUV光刻機的組裝。

　　根據英特爾的計劃，High NA EUV光刻機將會(huì )首先會(huì )被用到Intel 18A的相關(guān)測試，以積累相關(guān)經(jīng)驗，最終會(huì )被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

　　此前的報道顯示，ASML已獲得十多臺High NA EUV光刻機的訂單，客戶(hù)包括臺積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。ASML CEO Christophe Fouquet指出，DRAM芯片制造商，可能會(huì )在2025或2026年開(kāi)始使用High NA EUV設備。

　　編輯：芯智訊-浪客劍